A novel oxide vertical mosfet (OVMOS) transistor structure

Abstract

نظرا لما تتطلبة الدوائر المتكاملة من نبائط عالية الكثافة، فإن البحث يقدم تطويرا لتكوين الترانزستور الرأسي ليشغل مساحة أقل مع الاحتفاظ بكل من خصائص الانتقال والخروج ويمتاز الترانزستور الجديد بأن مادة البوليسيليكون التي تتكون من البوابة تحيط بقناة الترانزستور المطور من جهتين فقط، وهو ما يحقق زيادة كثافة النبائط وقد تم تمثيل مقارنة خاصية الانتقال في كل من الترانزستور الرأسي المطور والترانزستور الأفقي التقليدي ولوحظ تحسن ميل منحنى خاصية الانتقال في نطاق ما قبل التشغيل للترانزستور الرأسي ليساوي 73 ملي فولت وحدة عشرية عند جهد قاعدة 25 فولت كما يمتاز التكوين الجديد بأن طول قناة التوصيل للترانزستور لا يعتمد على تقنية التصنيع، وهو ما يحقق أداء أفضل حتى مع تقنية تصنيع متوسطة

A novel highdensity oxide vertical MOS (OVMOS) transistor with compact structure has been developed for future MOS devices This transistor whose gate electrode surrounds only two sides of the pillar silicon island reduces the occupied area for all kinds of circuits More than 70 % of the occupied area can be saved with the new structure which will be suitable for future ULSI’s Other advantages are steep cutoff characteristics (low subthreshold swing S 73 m V decade) and small substrate bias effects Also the channel length of OVMOS is independent on the technology line width and high performance could be achieved with OVMOS circuits for any scale of integration