Salicide process for submicron bicmos technology

Abstract

Simultaneous titanium salicide formation on doped un doped Si and Polysilicon (polySi) can be accompanied by undesirable materials effects such as salicide lateral growth over the sidewall spacer oxide and hence bridging of the gate to source drain (SID) Ti reaction with the field oxide resulting in global shorting of devices and circuits and variations in salicide properties depending on dopant concentration type in the Si To understand the interaction mechanisms experiments were carried out to study the salicide growth rates dopant salicide reactions rapid thermal processing (RTP) of polySi salicidation Ti oxide interactions and salicide lateral growth as a function of temperature and process window Salicided BiCMOS devices were characterized by SEM contact resistance sheet resistance and junction leakage current measurements The optimized salicide process exhibited characteristics suitable for submicron devices

نستقصي في هذا البحث ساليسيد التيتانيوم المستحضر على سطح السيليكون (المشاب غير المشاب) عديد البلورات حيث يمكن أن يرافقه تكونات غير مرغوب فيها مثل النمو الجانبي للساليسيد على جدار طبقة الأكسيد مما يؤدي إلى وصل المدخل مع المنبع المصرف، وكذلك تفاعل التيتانيوم مع الأكسيد المجالي مؤديا إلى وصل الجهاز خلال الدائرة ملغيا عمله كما قد يحدث اختلاف في صفات الساليسيد حسب نوع وتركيز الشوائب في السيليكون لمحاولة فهم ميكانيكية التفاعل قمنا بإجراء عدة تجارب لدراسة معدل نمو الساليسيد، وتفاعل الشوائب والساليسيد، والمعالجة الحرارية السريعة (RTP) لعديد السيليكونساليد وتفاعل تيتانيوم أكسيد، والنمو الجانبي للساليد حسب دالة الحرارة ومجال المعالجة كما قمنا بتحدي حقائب جهاز سالييسيد BiCMOS بواسطة SEM، ومقاومة التلامس، والمقاومة السطحية، وقياس تسرب تيار الوصلة بدلا من معالجة الساليسيد المثلى تناسب الأجهزة الدقيقة جدا ذات أبعاد أقل من الميكرون