Influence of the bandband interaction on the dispersion and density of states of surface carriers in Hg1xCdxTe at finite temperature

Abstract

لقد تمت دراسة تأثير المفاعلة بين شريط المواصلة c6 وشريط التكافؤ v8 على التشتت (K) E ± r وأيضا على كثافة المستويات Dr (E) لغاز إليكتروني شبيه البعدين في طبقة معكوسة على PHg1x Cdx Te وذلك باستخدام طريقة درجة الحرارة المحددة والتوافق الذاتي وكنتيجة لهذه المفاعلة وجد أن التشتت وكثافة المستويات لجزء شريطي من المستويات أصبح غير مكافئ ووصفت الخاصية غير المكافئة ولوحظ أنها تزداد مع زيادة دليل الجزء الشريطي (r 0 1 2 ) وتتناقص مع ارتفاع درجة الحرارة T ومركبات السبيكة x

The influence of the interaction between the conduction band c6 and the valence band v8 (bandband interaction) on the dispersion E ± r (k) and the density of states Dr(E) of the quasitwodimensional electron gas in inversion layers on pHg1xCdxTe is investigated using a finitetemperature selfconsistent procedure As a result of the bandband interaction the dispersion and the density of states of the subband states become nonparabolic The nonparabolicity is described quantitatively and it is shown that it increases with the subband index r 0 1 2 and decreases with the temperature T and the alloy composition x