Potential of bicmos technology for analog IC design
Authors:
Larsen Frode Ismail Mohammed Zarabadi Seyed
Issue Date:
1994
Citation:
Potential of bicmos technology for analog IC design Frode Larsen Mohammed Ismail and Seyed ZarabadiThe Arabian journal for science and engineering المجلة العربية للعلوم والهندسة Univeristy of Petroleum and MineralsVol 19 no 4B (October 1994) p p 813825Larsen FrodeIsmail MohammedZarabadi Seyed
Abstract:
نبحث في هذه المقالة في إمكانية استخدام تكنولوجيا (BICMOS) في تصميم دارات (ICs) غير رقمية ذات أداء متميز في تطبيقات (VLSI) كما أن هذه المقالة تقدم مبدأ أساسيا لتصميم (ICs) ذات السرعة العالية في تكنولوجيا BICMOS وهذا المبدأ يعتمد أساسا على توصيل ترانزيستورات أكاسيد المعادن شبه الموصلة (MOS) مع ترانزيستورات الثنائية القطبية (BJT) بحيث أن جميع العقد الداخلية في مسار الإشارة الإلكترونية ذات معاوقة متدنية وهكذا فإن سرعة (BJT) واستقامة وكبر معاوقة (MOS) تنتج دارات غير رقمية ذات أداء متميز لا يمكن تحصيله بتصميم يعتمد كليا على ترانزيستورات BJT أو MOS منفردة ونعرض هنا أمثلة عديدة لمثل هذه التصاميم ومنها مرشح الترددات الوطى ومضاعف ربعي This paper presents a study of noise in a composite transistor circuit referred to
as the Modified FieldEffect Transistor or MFET The MFET structure which
basically comprises a Junction Field Effect Transistor (JFET) and a Bipolar
Junction Transistor (BJT) offers FETlike characteristics with great improvements
in transfer curve linearity and thermal operational stability over a wide range of
input voltage and operating temperature with a precisely controllable gain The
present work involves the analysis and development of a noise model as well as a
study of the noise characteristics The method used in analyzing the composite
circuit is by replacing each element in the MFET by its equivalent noise model
and then computing the overall circuit noise
