On the sticking probability of cesium on silicon (III) surfaces
المؤلفون:
Jazzar M S
تاريخ النشر:
1980
الاستشهاد المرجعي :
On the sticking probability of cesium on silicon (III) surfaces M S JazzarThe Arabian journal for science and engineering المجلة العربية للعلوم والهندسة Univeristy of Petroleum and MineralsVol 5 no 1 (January 1980) p p 1518Jazzar M S
الملخص:
إن معامل التصاق السيزيوم على سطوح السلكون لا يتجاوز 02 على درجات الحرارة العادية وعلى درجة حرارة المختبر لا يمكن تغطية السلكون بطبقة كاملة من مادة السيزيوم، ولكن على درجة حرارة سائل النيتروجين يمكن تغطية السلكون بطبقات متعددة من السيزيوم The sticking probablity of cesium on Si(lll) surfaces is found to be about 02 at
room temperature Multilayers of cesium on silicon can only be formed on cold
substrates At room temperature only submonolayers of cesium are bound strongly
enough to the surface
