Chemical adsorption of oxygen on the (110) plane of tungsten
Auteur(s):
Jazzar M S Williams C B
Date de publication:
1979
Référence bibliographique:
Chemical adsorption of oxygen on the (110) plane of tungsten M S Jazzar and C B WilliamsThe Arabian journal for science and engineering المجلة العربية للعلوم والهندسة Univeristy of Petroleum and MineralsVol 4 no 2 (July 1979) p p 8589Jazzar M SWilliams C B
Résumé:
Low energy electron diffraction (LEED) and Auger electron spectroscopy have been used to follow the kinetics of adsorption of oxygen on the (110) surface of tungsten at 300 K Two chemisorbed states are formed The first of these is a tightlybound state with an average sticking coefficient of approximately 025 The second state which begins to form at a coverage of half a monolayer has a much lower sticking coefficient and appears to be pressure dependent For e < 05 the rate of adsorption is found to obey a simple probability function في مختبر السطوح في دائرة الفيزياء استعملنا حيود الإلكترونات ذات الطاقة المنخفضة ومطيافية أوجيه لدراسة حركية امتزاز الأكسجين على سطوح (110) لفلز التنسجتون وعلى درجة حرارة 300 مطلقة لاحظنا تكون حالتي امتزاز كيميائيتين الأولى مرتبطة بقوة بسطح الفلز ومعامل التصاقها يقارب الـ025 أما الثانية فتبدأ بالتكون على ما يقارب نصف مدماك، ولها معامل التصاق أقل بكثير من الحالة الأولى، وتعتمد على الضغط في استقرارها وعندما يكون أقل من نصف سطح التنسجتون مغطى بالأكسجين يمكن وصف امتزازية السطح بدالة جبرية بسيطة
