Schottkybarriers on zinc cadmium selenide alloys (Znx Cd1xSe) with x 085 and x 093
المؤلفون:
AIBassam A A I
تاريخ النشر:
1990
الاستشهاد المرجعي :
Schottkybarriers on zinc cadmium selenide alloys (Znx Cd1xSe) with x 085 and x 093 A A I AIBassamThe Arabian journal for science and engineering المجلة العربية للعلوم والهندسة Univeristy of Petroleum and MineralsVol 15 no 2B (April 1990) p p 367372AIBassam A A I
الملخص:
تمت دراسة حواجز سطوح الذهب (لسبائك زنك كادميوم سيلنايد) مع اختلاف التركيب (حيث 085 X) و(093 X) من الزنك وتم قياس ارتفاع الحواجز وكثافة المانحات في هذا المجال وكذلك درست مستويات العيوب العميقة في هذه الثنائيات باستعمال التغير الطيفي للسعة الضوئية في الحالة المستقرة وتمت ملاحظة مستويين عميقين لهما طاقات تنشيط عند (eV 054) و(eV 113) بالنسبة لشريط التكافؤ Gold surface barriers on Znx Cd1xSe alloys have been investigated for compositions with X 085 and X 093 The barrier height and uncompensated donor density have been determined in this range Deep level defects were also investigated in these diodes using the spectral dependence of steadystate photocapacitance Two deep levels have been observed with activation energies of
054 eV and 113 eV relative to the valence band
