Variable range hopping mechanism in magnesium stannate polycrystalline systems ميكانيكية القفز متغير المدى في قصديرات المغنيسيوم متعدد البلورات

Abstract

The direct current (dc) resistivity of magnesium stannate (Mg2SnO4) samples was measured as a function of temperature in the range from 78 to 300 K The samples used were annealed in a reduction atmosphere at 450 460 and 470 °C The data thus obtained revealed that the main contribution to the conductivity comes from carriers that are transported progressively among localized states executing variable range hopping (VRH) Analysis of these data showed that the resistivitytemperature characteristics are well described by the Mott T1 4 law This confirmed the absence of a coulomb gap at the Fermi level in which case the density of states at this level is constant The variation of hopping temperature T0 with the annealing temperature revealed that T0 is thermally activated with an activation energy of about 0908 eV

لقد تم قياس المقاومة النوعية المباشرة (dc) لقصديرات المغنيسيوم كدالة في درجة الحرارة في الدي بين (78 k300 k)، العينات المستخدمة قد تم تليينها في وسط مختزل عند درجات الحرارة (450 °C 450 °C 450 °C) وقد تبين من النتائج التي تم الحصول عليها أن المساهمة الأساسة في الموصلية الكهربيةأتي بفعل حاملات التيار التي تنقل بين الحالات الكمية المتمركزة (الثابتة) فيما يعرف بالقفز متغير المدى وقد اتضح من تحليل النتائج أن تصرف المقاومة النوعية مع درجات الحرارة يتبع قانون مت T 14، وهذا يثبت عدم وجود فجوة كولوم عند مستوى فيرمي الذي تكون عنده كثافة الحالات ذات قيمة ثابته كما اتضح أيضا أنه من تغير درجة حرارة القفز To مع درجة حرارة التليين Ta أن مفعلة حراريا بطاقة تنشيط مقدارها الكترون فولت