IV characteristics of IIIV compounds (GaAS) for MOSFET devices علاقة التيار بالجهد للمركبات (IIIV) لمادة الجاليوم أرسنيد المستخدم لوصلات الـ MOSFET
المؤلفون:
AlMarzouki Fahad AlAmeer Saeed S
تاريخ النشر:
1998
الاستشهاد المرجعي :
IV characteristics of IIIV compounds (GaAS) for MOSFET devices علاقة التيار بالجهد للمركبات (IIIV) لمادة الجاليوم أرسنيد المستخدم لوصلات الـ MOSFET S S AlAmeer and F AlMarzoukiJournal of King AbdulAziz University science King Abdulaziz UniversityVol 10 ([1418 H 1998]) p p 7787AlAmeer Saeed SAlMarzouki Fahad
الملخص:
A new approach of examining and characterizing both thin film or thin film based devices are described in this paper Justification of the selected techniques which have been utilized in fabricating these thin films are given The important aspect of selecting the substrates on which the thin films are made were pointed out The measurement techniques which have been adoped here are discussed Results and discussion show the ability reliability and simplicity of these proposed techniquesThe results are interesting and confirm the method used to produce themeven though it is an oil pumped system في هذا البحث تم اتباع طريقة بحثية مبسطة لفحص ونمذجة الأغشية الرقيقة المنتجة بواسطة أجهزة التفريغ وقد تم اختيار تقنية مبسطة جدا لفحص هذه الأغشية والتي عملت على شكل أغشية رقيقة فقط وأغشية على شكل دوائر إلكترونية وهذه التقنية عبارة عن استخدام جهاز بيكوأميتر (HP4140) وملحقاته وكانت النتائج في غاية الأهمية من ناحية التطبيقات الإليكترونية سواء في مجال المكبرات أو مجال الدوائر المتكاملة
