Crystallization of PECVDdeposited amorphous silicon thin films using the aluminuminduced crystallization technique تبلور السليكون المبخر بطريقة PECVD باستخدام تقنية الألمنيوم المحث على التبلور
المؤلفون:
Al Dhafiri Abd Allah Muharib
تاريخ النشر:
2003
الاستشهاد المرجعي :
Crystallization of PECVDdeposited amorphous silicon thin films using the aluminuminduced crystallization technique تبلور السليكون المبخر بطريقة PECVD باستخدام تقنية الألمنيوم المحث على التبلور A M AlDhafiriمجلة جامعة الملك سعود مجلة العلوم الهندسية عمادة شؤون المكتبات، جامعة الملك سعودVol 15 no 2 (1423 H 2003) p p 235248Al Dhafiri Abd Allah Muharib
الملخص:
The investigation of polycrystalline silicon made on glass and carbon coated nickel substrates by aluminuminduced crystallization of amorphous silicon (aSi) is reported Aluminum was sputtered onto aSi films deposited in an ultrahighvacuum plasmaenhanced chemical vapor deposition (PECVD) system to form Al aSi substrate structures These samples were then vacuum annealed for 30 min at temperatures in the range 150 C350 C Xray diffractometry (XRD) and transmission electron microscopy (TEM) were utilized to determine the crystallization temperature Annealing at 200 C resulted in the formation of crystalline Si as observed by TEM and at 275 C as observed by XRD These different results obtained by these two techniques are discussed and explained Scanning electron microscopy (SEM) was used to study the surface morphology SEM pictures of the interacted film surface of Al aSi structures annealed above the crystallization temperature clearly show hillocks or bumps distributed all over the surface The presence of these hillocks or bumps after annealing at 275 C and above confirms that the aSi has been crystallized يعرض البحث طريقة تبخير السليكون غير المتبلور على قاعدتين الأولى زجاجية والأخرى قاعدة من الكربون المغطى بالنيكل تستخدم القاعدة الأولى لدراسة الأشعة السينية ولدراسة المجهر والماسح الإلكتروني بينما تستخدم القاعدة الثانية لدراسة المجهر النافذ الإلكتروني تم تبخير السليكون بواسطة طريقة الرش الكيميائي تحت ضغط منخفض جدا ومن ثم استخدمت نفس الطريقة لتبخير الألمنيوم فوق السليكون سخنت العينات عند درجات حرارة مختلفة من 150 م إلى 350 م ولمدة 30 دقيقة وجد أن السليكون يبدأ في التبلور عند درجة حرارة 200 م عند استخدام المجهر النافذ الإلكتروني وعند درجة 275 م عند استخدام الأشعة السينية تم تفسير هذا الاختلاف طبقا لكل طريقة درس سطح العينات باستخدام المجهر الماسح الإلكتروني ووجد أن العينات التي سخنت عند درجات حرارة أكبر من 275 م تمتاز بوجود أشكال هرمية مما يؤكد تبلور السليكون بينما تمتاز العينات التي سخنت عند درجات حرارة أقل من 275 م في وجود سطح أملس تم عرض ومناقشة وتفسير كل تلك النتائج بناء على التغيرات التركيبية والدراسات السابقة
