High performance in gaas gaas strained layer superlattice photodetectors compatible with gaas mesfet technology كاشف ضوئي ذو كفاءة عالية، منسجم مع تقنية ترانزستور gaas ذو التأثير المجالي، مكون من شبكية ingaas gaas متوترة
المؤلفون:
Debbar Nasr
تاريخ النشر:
1998
الاستشهاد المرجعي :
High performance in gaas gaas strained layer superlattice photodetectors compatible with gaas mesfet technology كاشف ضوئي ذو كفاءة عالية، منسجم مع تقنية ترانزستور gaas ذو التأثير المجالي، مكون من شبكية ingaas gaas متوترة Nacer Debbar مجلة جامعة الملك سعود مجلة العلوم الهندسية عمادة شؤون المكتبات، جامعة الملك سعودVol 10 no 1 (1418 H 1998) p p 105113Debbar Nasr
الملخص:
يقدم هذا البحث كاشفا ضوئيا للموجات الطويلة يتكون من معدن شبه موصل ومعدن آخر متداخلة فيما بينهما (MSM) وتتكون الطبقة التي تقوم بامتصاص الضوء من شبكية متوترة مكونة من (InGaas Gaas) وهذه الشبكية مصممة كي تمتص الضوء ذي الموجات الطويلة والتركيبة المشيدة على قاعدة من (Gaas) غير مشبوة بحيث تكون منسجمة تماما مع تقنية النبائط الإلكترونية من (Gaas) المستقرة وفي حالة الظلام، يبدى الكاشف الضوئيقيد البحثتيارا منخفضا مقداره 26 نانو أمبير عند جهد دعم مقداره 10 فولت، واستجابتة نبضية سريعة جدا بعرض تام بعد إزالة الالتفاف وعند نصف القيمة القصوى بحوالي 13 بيكو ثانية (13 ps) عندما يكون جهد الدعم 10 فولت وهذا يناظر عرض نطاق داخلي يقارب 35 ميغاهيرتز A high performance longwavelength interoigitated metalsemiconductormetal (MSM) photodetectors is reported in this paper The photoabsorbing layer consists of an In Gaas Gaas strained layer superlattice designed for light absorption in the long wavelength region The structure grown on a Gaas undoped substrate is fully compatible with the technology of the mature Gaas electronic devices The MSM photodiodes exhibit a very Iow dark current 26 nA at 10 V applied bias a very fast pulse response with a deconvoluted full width at half maximum of about 13 ps at 10 V applied bias corresponding to an intrinsic bandwidth of about 35 GHz
