Deep levels on zinc cadmium selenide alloys مستويات العمق في الزنك كادميوم سيلفايد
المؤلفون:
Bassam Abd Allah Abd Al Rahm n
تاريخ النشر:
1993
الاستشهاد المرجعي :
Deep levels on zinc cadmium selenide alloys مستويات العمق في الزنك كادميوم سيلفايد A A I AIBassamمجلة جامعة الملك سعود مجلة العلوم عمادة شؤون المكتبات، جامعة الملك سعودVol 5 no 2 (1413 H 1993) p p 149159Bassam Abd Allah Abd Al Rahm n
الملخص:
درست عيوب مستوى العمق في خليط الزنك كادميوم سيلفايد البلورية مع (X 093 ،090 ،086) والتي نمت مع طور البخار ودرست السعة الضوئية للحالة المستقرة كما استخدمت طريقة الكبت بالأشعة فوق الحمراء وقد تم الحصول على خمسة مستويات عميقة أحدها له طاقة تنشيط ما بين (022، 045، 070، 085 EV) بالنسبة لشريط التكافؤ، وكذلك تم حساب قيم المتغيرات من العلاقة ما بين السعةالجهد عند درجة حرارة الغرفة، وأيضا حساب قيم التغير العظمى للحقل الكهربائي (Emax) في المنطقة الفاصلة ما بين الفلزشبه الموصل وأخيرا تم تعيين قيمة الانخفاض في حاجز الجهد لهذه الدراسة Deep level defects in Znx Cdx Se mixed crystals (with x 093 090 086) grown from the vapor phase were investigated by steady state photocapacitance and infrared quenching photocapacitance techniques A total of five deep levels have been obtained one with an activation eQergy at about 075094 EV below the conduction band and four with activation energy of about 022045070 and 085 EV above the top ofthe valence band Also some parameters calculated from the capacitancevoltage data at room temperature the values of the maximum electric field at the interface of the metal and semi conductor (Em) and the lowering ofthe potential barrier are determined in this study
