Structural and electrical properties of Au Si H diodes الخواص التركيبية والكهربائية لوصلة Au Si H
Auteur(s):
Al Dhafiri Abd Allah Muharib
Date de publication:
2004
Référence bibliographique:
Structural and electrical properties of Au Si H diodes الخواص التركيبية والكهربائية لوصلة Au Si H A M AlDhafiriمجلة جامعة الملك سعود مجلة العلوم عمادة شؤون المكتبات، جامعة الملك سعودVol 16 no 2 (1424 H 2004) p p 7785Al Dhafiri Abd Allah Muharib
Résumé:
استخدمت شرائح السليكون المتبلور كقاعدة لترسيب السليكون المهدرج غير المتبلور aSi H تم تبخير aSi H بواسطة طريقة الترسيب الكيميائي البخاري (PECVD) ومن ثم تبخير الألومنيوم فوق هذه الطبقة تم تسخين العينات عند درجات تتراوح من 50 إلى 400 م بينت دراسات الأشعة السينية أنه قد حدث تبلور للسيليكون غير المتبلور عند درجه حرارة 350 م تم تكوين وصلة الشوتكي بواسطة تبخير طبقة من الذهب فوق aSi H بعد إزالة الألومنيوم تم قياس خواص الجهدالتيار والجهدالسعة كدالة في درجة حرارة التسخين لـ Al aSi H تم حساب معامل المثالية وارتفاع الحاجز الجهدي وكثافة حاملات الشحنة لتلك العينات Ntype <100> crystalline silicon wafers were used as a substrate for aSi H film deposited Aluminum was evaporated onto device quality aSi H films deposited in an ultra high vacuum plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system The Al aSi H samples were annealed in the range of 504000C for 30 minutes XRD analysis showed a very good polycrystalline of the interacted film at 3500 C Schottky barriers were made by vacuum evaporation of a gold onto the aSi H surfaces after removing the Al by a standard etching solution Currentvoltage characteristics (JV) characteristics and capacitancevoltage measurements (CV) were carried out as a function of temperature annealing of Al aSi H substrate The ideality factor barrier height and carrier concentration were calculated
